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KIA100N03AD 90A/30V替代?IR8726?,KIA100N03AD产品功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源,有源功...
www.kiaic.com/article/detail/1294.html 2018-12-11
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MOS管 TO-247封装尺寸及外形,TO247是比较常用的小外形封装,表面贴封装型之一,247是封装标准的序号。1、散热器要光滑平整,无毛刺、无铁销、无赃物,检查散热器上的螺丝孔无毛刺;2、涂覆导热硅脂:给TO247模块DBC底板上涂覆一薄层导热硅脂(DBC底板很平整,...
www.kiaic.com/article/detail/1327.html 2018-12-11
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功率MOSFET是从小功率MOS管展开来的。但在结构上,它们之间相差很大,为了更好天文解功率MOSFET的机理,首先来回想一下小功率场效应管的机理。以下以N沟道增强型小功率MOSFET的结构来说明MOS管的原理。N沟道增强型MOS管是把一块低掺杂的P型半导体作为衬底,在衬...
www.kiaic.com/article/detail/1326.html 2018-12-11
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LED车灯KIA50N06B型号参数资料详情,1、RDS(on)=10.5mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色装置 3、降低导电损耗 4、高雪崩电流
www.kiaic.com/article/detail/1325.html 2018-12-10
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逆变器MOS管选型表,在进行电源设计时,效率与可靠性都是设计者首先考虑的因素,在设计逆变电源时更是如此。逆变电源可靠性的提升对于新手们来说是一个较为头疼的问题,虽然有资料可供参考,但其中值给出了部分方法,却没有给出一些技巧或原理上的讲解。MOS管不...
www.kiaic.com/article/detail/1324.html 2018-12-10
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TO-220封装外形( Transistor Outline Package)是一种大功率晶体管、中小规模集成电路等常采用的一种直插式的封装形式。TO-220封装外形是一种大功率晶体管、中小规模集成电路等常采用的一种直插式的封装形式。其中,TO英文是 Transistor Outline的缩写。通常,T...
www.kiaic.com/article/detail/1323.html 2018-12-10
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MOSFET栅极,场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流...
www.kiaic.com/article/detail/1322.html 2018-12-07
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功率MOS管,是较常使用的一类功率器件。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件。功率MOSFET可分为增强型和耗尽型,按沟道分又可分为N沟道型和...
www.kiaic.com/article/detail/1321.html 2018-12-07
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LED车灯型号参数资料详情,KIA半导体的KNX3706A产品是一种高密度沟槽N-ch MOSFET,它提供了优良的RDS(ON)和大多数同步降压变换器应用的栅极电荷。KNX3706A满足RoHS和绿色产品的要求,100%EAS保证功能的可靠性得到认可。而且KIA半导体10几年一直追求品质第一的生...
www.kiaic.com/article/detail/1320.html 2018-12-07
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KIA75N75可替代RU8590S产品,KIA75NF75是N沟道增强型功率场状态特性稳定、快速的效应晶体管开关速度,低热阻,常用于电信和计算机应用等。下文将分别介绍KIA75N75和RU8590S产品的特性及主要参数。
www.kiaic.com/article/detail/1319.html 2018-12-07
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联系方式:邹先生联系电话:0755-83888366-8022手机:1812397295QQ:2880195519联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1关注KIA半导体工程专
www.kiaic.com/article/detail/552.html 2018-12-06
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MOS管栅极由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极,起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极...
www.kiaic.com/article/detail/1318.html 2018-12-06
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h桥mos管驱动电路原理,实践驱动电路中通常要用硬件电路便当地控制开关,电机驱动板主要采用两种驱动芯片,一种是全桥驱动HIP4082,一种是半桥驱动IR2104,半桥电路是两个mos管组成的振荡,全桥电路是四个mos管组成的振荡。其中,IR2104型半桥驱动芯片能够驱动...
www.kiaic.com/article/detail/1317.html 2018-12-06
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同步整流mos工作原理:同步整流mos工作原理祥情入如下:图下(a)所示为N沟道功率MOS管构成的同步整流管SR和SBD整流二极管的电路图形符号,整流二极管有两个极:即阳极A和阴极K。功率MOS管有三个极:即漏极D、源极S和门极G。在用做同步整流管时,将功率MOS管反接...
www.kiaic.com/article/detail/1316.html 2018-12-06